سلام
توي اكثر نقشه هاي مربوط به درايو ، از پالس pwm يا ... براي تحريك كردن igbt استفاده شده ، در حالي كه اين قطعه خواصي مشابه با mosfet داره و ميشه با دادن يك ولتاژ dc يه گيت اون ، جريان كلكتورش رو كنترل كرد ( ميشه گفت يه moset داريم كه اون رو در ناحيه ي تريود باياس كرديم ) .
حالا در اين روش چند تا ابهام وجود داره :
1- قرار گرفتن ولتاژ dc بر روي گيت چه مشكلي داره ؟
يكي از مسائلي كه ممكنه بوجود بياد تلفات توان هست ، كه ميشه با انتخاب يك igbt قوي تر حلش كرد ، غير از اين مورد ديگه اي هست ؟
2- معمولا براي حفاظت كردن igbt ها ، در هنگام رخ دادن خطا پايه ي گيت رو به زمين يا ولتاژ منفي وصل ميكنن ، زمان بين رخ دادن خطا و زمين شدن گيت حداكثر چقدر ميتونه باشه ؟
************************************************** ***********
من اين مشكل رو توي سايت هاي ديگه هم مطرح كردم ، اما دقيقا نميدونم مشكل از چي هست كه كسي جواب نميده !!! آيا مديريت اين وب سايت ها ضعيف هست ؟