جايگزيني حافظه‌هاي جديد با ترانزيستورهاي نيمه‌هادي رايانه
دانشمندان شركت HP موفق به طراحي نسل جديدي از سوئيچ‌هاي كابلي كوچك براي ترانزيستورهاي قابل تغيير شده‌اند كه مي‌تواند رايانه را به يك مجموعه اتمي تبديل كند.
به گزارش فارس به نقل از نيويورك‌تايمز، اين محصول جديد با عنوان Memristors يا "مقاومت‌هاي حافظه " ساخته شده است و نخستين بار طرح آن توسط "لئون او. چوا " يكي از مهندسان الكترونيك دانشگاه كاليفرنيا در سال 1971 ارايه شده بود،اما طرح پيشنهادي وي تا سال 2008 كه در آزمايشگاه شركت HP بررسي شد، مورد توجه قرار نگرفته بود.
اين سوئيچ‌ها بسيار ساده‌تر از ترانزيستورهاي نيمه‌هادي كنوني هستند و حتي مي‌توانند در نبود نيروي الكتريكي، اطلاعات را در خود ذخيره كنند و براي پردازش اطلاعات و ذخيره ابزارهاي مربوطه مورد استفاده قرار گيرند.
كارشناسان "آكادمي ملي علوم " در آمريكا پيش از اين گزارش دادند كه موفق به كشف روشي نوين براي ذخيره‌سازي و بازيابي اطلاعات از فضاي سه‌بعدي حافظه‌ها شده‌اند. طرح اوليه اين روش جديد به طراحان رايانه‌ها كمك مي‌كند تا با استفاده از هزاران سوئيچ پيشرفته، دستگاه‌هاي رايانه‌اي با چگالي بالا مبتني بر سطوح دو بعدي را مورد استفاده قرار دهد.
به گفته دكتر چوا، سيستم‌هاي مبتني بر فناوري Memristors به گونه‌اي خواهند بود كه مي‌توانند مانند مغزهاي بيولوژيكي عمل كنند، او در اين خصوص توضيح داد: «مغزهاي ما از Memristorsها تشكيل شده‌اند. هم‌اكنون فرصت آن پيش آمده است تا محصولي كاملا شبيه به مغز را توليد كنيم».
پاسخ با نقل قول