کشف خواص مغناطیسی جدید در نیمه‌رساناها
سرویس اخبار خارجی ایتنا - مطالعات بر روی برخی نیمه‌رساناهای خاص نشان می‌دهد که این قطعات دارای برخی ویژگی‌های مغناطیسی مهمی هستند که دانشمندان می‌توانند با استفاده از آنان دستگاه‌ها و تجهیزات کوچک‌تر و سریع‌تری را ایجاد نمایند.
محققین موسسه ملی استاندارد و فناوری(NIST) با همکاری دانشگاه کره و دانشگاه نتردام دست به انجام آزمایشاتی زدند که در نهایت منجر به کشف یک ویژگی مغناطیسی نادر گردید.
با کشف این ویژگی امیدواری‌ها برای ساخت تجهیزات ذخیره‌سازی مغناطیسی بر مبنای نیمه‌رساناها پررنگ‌تر شد.
این موضوع به این معنی است که پردازش پرسرعت اطلاعات از طریق مدارات منطقی توکار که توسط میدان‌های مغناطیسی کنترل می‌شوند در امکان‌پذیر خواهد بود.
این نکته از آنجا حائز اهمیت است که مدارات نیمه‌رسانا نه تنها برای پردازش اطلاعات، بلکه در آینده برای ذخیره آن نیز بکار گرفته خواهند شد.
ذخیره مغناطیسی اطلاعات مطلب جدیدی نیست. از این تکنیک امروزه در هارد دیسک‌ها و همچنین در برخی از دستگاه‌های پخش‌کننده موسیقی استفاده می‌شود.
نکته مهم اینست که درحال حاضر اینکار بر اساس مواد فلزی صورت می‌گیرد که اگر بتوان از نیمه‌رساناها برای این مقصود استفاده کرد سرعت ذخیره‌سازی بمراتب نسبت به حالت فعلی افزایش خواهد یافت.
آنچه اینک دانشمندان موفق به کشف آن شدند این است که تحت برخی شرایط خاص، لایه‌های نازک مگنت در داخل ماده نیمه‌رسانای «گالیوم آرسناید» (GaAs) علائمی از حالت آنتی فرومغناطیس را از خود نشان می‌دهند.
در این شرایط لایه‌ها با توجه به قطب‌های مغناطیسی خود در کنار یکدیگر وضعیت کوپل (جفت مثبت و منفی) را بخود می‌گیرند.
دانشمندان عقیده دارند با توجه به اینکه این نتایج در شرایط آزمایشگاهی خاص و در دمای پائین بدست آمده‌اند، لذا فعلاً و به این زودی‌ها نمی‌توان منتظر ورود تجهیزات الکترونیکی بر پایه این کشف بود.
با اینحال محققین مرکز NIST امیدوارند این کشف آنان را در مسیر صحیح قرار داده و بعنوان اولین قدم برای رسیدن به نتیجه مطلوب محسوب شود.
پاسخ با نقل قول