PDA

توجه ! این یک نسخه آرشیو شده میباشد و در این حالت شما عکسی را مشاهده نمیکنید برای مشاهده کامل متن و عکسها بر روی لینک مقابل کلیک کنید : یادگیری الکترونیک دیجیتال



arsalan681
15-01-2010, 15:28
سلام دوستان من مدارهای زیادی رو تو سایت قرار دادم ولی با توضیحات مختصر .دوستان هر کس اطلاعاتی راجع به الکترونیک دیجیتال میخواد و یا توضیح بیشتر مدارها می تونه اینجا مطرح کنه.
موفق باشید

arsalan681
22-01-2010, 03:31
این مطلب رو مطالعه کنید پروژهای مربوطش رو تو قسمت مدارهای پیشرفته می تونید ببینید

arsalan681
24-01-2010, 02:27
گفتم این فایل اینجا باشه بهتره
You can see links before reply

arsalan681
30-01-2010, 13:12
خانواده های مدارهای دیجیتال
مدارهای منطقی مجتمع به چند خانواده مختلف تقسیم می شوند. اعضای هر یک از خانواده ها، با یک تکنولوژی مشخص ساخته می شوند، ساختار مداری مشابه دارند و مشخصه های بنیادی یکسان از خود نشان میدهند. ابتدا خانواده MOS که شامل NMOS و CMOS می باشد بعد خانواده های منطقی BJT که شامل TTL و ECL می باشد. بعد BiCMOS که شامل ترکیبی از CMOS و BJT (دوقطبی) است ومزیت آن این است که قابلیت های خوب هر دو خانواده سازنده اش را دارد.این خانواده ها مهمترین ها می باشند.بعد از آن تکنولوژی گالیوم آرسناید (GaAs) که یک تکنولوژی نسبتا جدید و پیشرفته می باشد و مزیت هایی چون سرعت بالاتر را دارا می باشد.خانواده های CMOS,TTL و ECL هم به صورت عناصر غیرسفارشی رایج مثلIC هایی که فقط شامل گیت های NOR می باشند در بازار برای طراحی موجود می باشند و هم به صورت VLSI در طراحی مدارهای سفارشی مثل پردازنده ها کاربرد دارند. اما NMOS تنها در مدارهای VLSI نظیر ریزپردازنده ها و تراشه های حافظه به کار میرود.

arsalan681
31-01-2010, 01:59
مقیاس مجتمع سازی
معمولا در هر خانواده منطقی، به انواع مدارهای منطقی می توان دست یافت.بسته به پیچیدگی مدار روی تراشه، تراشه ممکن است از یکی از چهار نوع زیر باشد:
مدار مجتمع با مقیاس کوچک (small scale integration (SSI))
مدار مجتمع با مقیاس متوسط (( MSI) medium scale integration )
مدار مجتمع با مقیاس بزرگ ( large scale integration(LSI) )
مدار مجتمع با مقیاس خیلی بزرگ ( very large scale integration(VLSI) )
هرچند مرز بین انواع مختلف، خیلی روشن نیست اما مبنای نه چندان دقیقی بر اساس تعداد گیتهای منطقی مشابه روی تراشه به قرار زیر است: SSI : از 1 تا 10 گیت ، MSI : از 10 تا 100 گیت ، LSI: از 100 تا 1000 گیت، VLSI: بیش از 1000 گیت.

arsalan681
01-02-2010, 22:22
تکنولوژی BiCMOS
BiCMOS خانواده ای منطقی می باشد که قطعات دوقطبی و CMOS را با هم ترکیب کرده است.این تکنولوژی نسبتا جدید است(بصورت تجاری در سال 1985 بکارگرفته شده است) و سرعت بالاتر و چگالی فشرده سازی بیشتری دارد. توجه کنید که CMOS توان مصرفی کمتر ، حاشیه نویز بزرگتر و چگالی فشرده سازی بیشتری را نسبت به دو قطبی ها دارد، در عوض دوقطبی ها سرعت سوئیچینگ بالاتر و جریان دهی بیشتری دارند. بنابراین با ترکیب این تکنولوژیها، BiCMOS مزیت های زیر را فراهم آورده است:
مصرف توان کمتر نسبت به دوقطبی ها
بهبود سرعت نسبت به CMOS
جریان دهی بیشتر نسبت به CMOS
درست است کهBiCMOS مزیتهای بالا را دارد ولی دارای معایب زیر می باشد:
هزینه بالا
زمان ساخت طولانی در کارخانه (Fabrication)

arsalan681
02-02-2010, 15:26
چرا BiCMOS
در تکنولوژی BiCMOS پروسه هایی وجوددارند که در آنها ترانزیستورهای دوقطبی و CMOS در کنار هم و بر روی یک تراشه ساخته می شوند. در این تکنولوژی مدارهای منطقی ECL و TTL در کنار مدارهایCMOS ساخته می شوند. این در کنار هم ساختن و ترکیب کردن دوقطبی و CMOS به خاطر این است که از مزیتهای خوب هر دو تکنولوژی استفاده کنیم.خانواده CMOS در مقایسه با دوقطبی ها مجتمع سازی بالایی دارند اما سرعت کارکرد و قدرت تحریک آن پایین تر است. در واقع در سیستمهای ارتباطی و کاربردهای کامپیوتری CMOS نمی تواند پاسخگوی نیازهای سرعت بالا باشد. اما تکنولوژی دوقطبی ECL و TTL مدارهای دیجیتالی ایجاد می کنند که قدرت تحریک بیشتر و سرعت بالاتری دارند. اما همین دوقطبی ها توان زیادی مصرف می کنند که ممکن است در بعضی سیستمها قابل تحمل نباشد.تکنولوژیهای مختلفی توسط شرکتهای نیمه هادی برای BiCMOS در سالهای اخیر ایجاد شده اند.یک نما از BiCMOS در شکل نشان داده شده است.در تکنولوژیهای اولیه BiCMOS ، ترانزیستورهای دوقطبی با مدارهای CMOS ترکیب می شدند.اما در این حالت کارکرد مدار توسط مشخصات مربوط به دو قطبی و یا CMOS محدود می شد.به این دلیل محدودیتها ، تکنولوژیهای دیگری برای BiCMOS ایجاد شده اند.در یکی از پروسه ها، مدارهای دو قطبی با سرعت متوسط با مدارهای CMOS با سرعت بالا جایگزین شده اند، قابلیت انتخاب دو قطبی بر روی تراشه در این تکنولوژی سرعت را بالا می برد.در یک تکنولوژی دیگر، ترانزیستورهای دو قطبی بهینه سازی شده اند که مدارهایی با سرعت بالاتر را ایجاد کنند.این تکنولوژی برای ساخت بلوکهای حافظه بزرگ سریع استفاده می شوند و مصرف توان پایین و چگالی بالایی را دارا می باشد البته در ساخت این حافظه ها در ترکیب BiCMOS ، دو قطبی به کار گرفته می شود
You can see links before reply

arsalan681
03-02-2010, 00:25
ساختار BiCMOS
قطعات فعالی که در خانواده منطقی BiCMOS به کار میروند PMOS و NMOS می باشند که به صورت ترکیب CMOS استفاده می شوند و در طول آنها دو قطبی های NPN و PNP به صورت افقی استفاده می شوند(در بعضی تکنولوژیها NPN های عمودی نیز استفاده شده اند)شکل زیر نمایی از BiCMOS را نشان می دهد، که از CMOS با چاه دوقلو (Twin Well) و دوقطبی ها تشکیل شده است. در ساختار CMOS با چاه دو قلو، دو چاه نزدیک هم قرار گرفته اند N+ و P+ ، یک ترکیب بسیار فشرده بوجود می آورند. ضعف عمده BiCMOS این است که تکنولوژی های ساخت استاندارد برای دوقطبی ها و MOSFET ها با هم ناسازگارند.به عنوان مثال ساخت تراشه های CMOS به طور عمومی با ویفرهای سیلیکونی نوع N شروع می شود در حالیکه دوقطبی ها با ویفر سیلیکونی نوع P شروع می شوند. اگر چه ناسازگاری هایی از این دست وجود دارد ولی در بعضی از پروسه های ساخت، به طور همزمان و موازی، ساخت قسمتهای CMOS و دو قطبی را انجام میدهند تا اینکه تعداد مراحل ساخت کمتر شود. معمولا مراحل پروسه از یک تکنولوژی دیگر ادغام می شود(با استفاده از مشابهت مراحل موجود برای دو تکنولوژی).
You can see links before reply

arsalan681
05-02-2010, 18:32
تکنولوژی گالیم – آرسناید
تکنولوژی MOS سیلیکونی در طول سالهای گذشته نقش عمده ای را در ساخت قطعات داشته است و این روند همچنان نیز ادامه دارد و از اهمیت آن کاسته نشده است.مشکل مربوط به محدودیت سرعت قطعات سیلیکونی یکی از مسایلی استه کهدر طراحی سیستم های دیجیتالی در حال حاضر به چشم می خورد. به علت بالاتر بودن قابلیت تحرک قطعات n نسبت به p ، اشباع سرعت در قطعات n در میدان الکتریکی ضعیف تری رخ می دهد.بنابراین زمانی که قطعات ابعاد کوچکتری پیدا می کنند قابلیت تحریک جریان ترانزیستور های n زودتر از ترانزیستورهای p به مقداری ثابت میرسد که این مقدار مستقل از طول کانال است.این به معنی رسیدن یه یک حداکثر سرعت در قطعات سیلیکونی است و بایستی برای رسیدن به سرعتهای بالاتر ، در جستجوی یک تکنولوژی دیگربه غیر از تکنولوژی MOS مبتنی بر سیلیکون باشیم. در این میان توجه به سوی تکنولوژی دیگری که مبتنی بر گالیم – آرسناید است جلب شده است ونتایج قابل توجهی در استفاده از این تکنولوژی حاصل شده است. این تکنولوژی جدید نمی تواند بطور کامل جایگزین تکنولوژی مبتنی بر سیلیکون شود اما می تواند نیازهای تکنولوژی مدارهای مجتمع با سرعت های بسیار بالاتر را فراهم کند.کشف ترکیب گالیم – آرسناید در سال 1926 صورت گرفت ولی ویژگی های قابل توجه آن تا سال 1960 ناشناخته ماند.با بوجود آمدن پیشرفت هایی در تکنولوژی ساخت مدارهای مجتمع که در دهه 1970 صورت گرفت، محصولات گالیم – آرسناید به عنوان یک جایگزین احتمالی مطرح شده و در نتیجه پیشرفتهای شگرف کاشت یونی در دهه 1980 ، این تکنولوژی به عنوان یک واقعیت تجاری در دهه 1990 مطرح گردید. تکنولوژی گالیم – آرسناید ،با شناخته شدن ویژگی های آن به تدریج رای طراحی مدارهای بسیار سریع مطرح گردید که علاوه بر بوجود آموردن امکان ساخت قطعات بسیار سریع دارای مزایای دیگری نیز می باشد که مهمترین آنها شامل موارد زیر است:
1. قابلیت تحرک بسیار بالای الکترون در گالیم – آرسناید نسبت به سیلیکون
2. زیر لایه نیمه عایق (پارازیت کمتر)
3. بهبود سرعت اشباع حاملها در گالیم – آرسناید در مقایسه با سیلیکون
4. خواص نوری و الکتریکی
5. بهبود قابل توجه در کاهش توان مصرفی
6. مقاومت بالا در برابر تشعشع
برای عملیات با سرعت بالا در یک وسیله نیمه هادی ، سه عامل : قابلیت تحرک حاملها، سرعت اسباع حامل، و وجود زیر لایه نیمه عایق حائز اهمیت می باشد که گالیم – آرسناید در ضمن برآوردن تقریبی این نیازها و با توان مصرفی کمی که دارد، اساس تکنولوژی را برای نسلهای جدیدی از مدارهای سریع فراهم می کند.

arsalan681
06-02-2010, 10:58
ویژگی ها و مشخصه های تکنولوژی گالیم – آرسناید
در طول سالهای اخیر پیشرفتهای قابل ملاحظه ای در تکنولوژی گالیم – آرسناید بوجود آمده و مشخصه های زیر نوعا عرضه شده است:
1. امکان ساخت قطعات افزایشی و تخلیه ای
2. مناسب بودن تکنولوژی برای سرعتهای ساعت در محدوده 1 تا 2 گیگا هرتز
3. قابلیت تحرک الکترون به میزان شش تا هفت برابر نسبت به سیلیکون که زمان های گذر الکترون بسیار سریعی را بوجود می آورد
4. در تکنولوژی گالیم – آرسناید سرعت اشباع در میدان آستانه کمتری نسب به سیلیکون رخ می دهد.
5. باند ممنوعه بزرگ انرژی باعث می ش.د که زیر لایه نیمه عیق در عمق، دارای مقاومتی در حدود .cmΩ 107 تا 108 (10به توان 8) باشد. این موضوع باعث حداقل شدن اندازه خازنهای پارازیتی شده است و جداسازی قطعات متعدد در یک زیر لایه را آسان می کند.
6. به علت عدم حضور اکسید گیت برای به دام انداختن بارهای الکتریکی، مقاومت تشعشع قوی تری دارد.
7. محدوده دمای عملیاتی بزرگتری دارد، قطعات گالیم – آرسناید در مقابل تغییرات وسیعی از دما در محدوده 200- تا 200+ درجه سانتیگراد مقاوم هستند.
8. پیوند pn با بایاس مستقیم می تواند به عنوان منتشر کننده نور مورد استفاده قرار گیرد.
9. کاهش توان مصرفی تا 70 درصد نسبت به سریعترین تکنولوژی سیلیکون در این تکنولوژی حاصل می شود.

arsalan681
07-02-2010, 02:46
انواع قطعات گالیم – آرسناید
قطعات مختلفی از گالیم – آرسناید توسعه یافته است که می توان آنها را در دوسته زیر قرار داد:
نسل اول:
1. ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی حالت تخلیه ای
(Deplletion mode Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor(DMESEFT))
2. ترانزیستور اثر میدان فلز – نیمه هادی حالت افزایشی
( Enhancement mode Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor(EMESEFT))
3. ترانزیستور اثر میدان پیوندی حالت افزایشی
((Enhancement mode Junction Field-Effect Transistor(EJEFT)
4. ترانزیستور اثر میدان پیوندی حالت افزایشی تکمیلی
((Complementary Enhancement mode Junction Field-Effect Transistor(CEJEFT)

نسل دوم: شامل قطعات پیچیده تری می باشد که در آنها قابلیت تحرک الکترون می تواند تا پنج برابر سریعتر از قطعات نسل اول باشد.
1. ترانزیستور با قابلیت تحرک الکترون بالا
(High Electron Mobility Transistor)
2. ترانزیستور دو قطبی با پیوند ناهمگون
(Heterojunction Bipolar Transistor(HBT))

arsalan681
07-02-2010, 13:35
انوع منطق های تکنولوژی گالیم – آرسناید
برای طراحی مدارهای منطقی دو روش وجود دارد:
1. منطق در حالت عادی روشن که درآن از MESFET های حالت تخلیه ای استفاده می شود. در این منطق قطعات مورد استفاده در حالت عادی روشن می باشند و برای پیاده سازی عملکرد مدار و در زمان سوئیچ بایستی خاموش شوند.
2. منطق در حالت عادی خاموش که در این منطق از ترانزیستورهای افزایشی استفاده می شود. این ترانزیستورها در حالت عادی خاموش بوده و در زمان سوئیچ روشن می شوند.
براین اساس چند نوع منطق مختلف با استفاده از MESFET ها بوجود آمده است که عبارتند از:
منطق DCFl-Direct Coupled FET Logic
منطق BFL- Buffered FET Logic
منطق SDFL- Shotckey Diod FET Logic
منطق CCFL – Capacitor Coupled FET Logic
منطق CDFL – Capacitor Diod FET Logic
منطق LPFL – Source Couple FET Logic

arsalan681
08-02-2010, 00:20
چرا مدارهای مجتمع ؟
ایده گنجاندن چندین وسیله الکترونیکی در یک زیر لایه مشترک در اواخر دهه 1950 مطرح شد.در بیش از 4 دهه فناوری، از تولید تراشه هایی ساده شمال چند ترانزیستور به ساخت حافظه هایی با بیش از یک میلیارد ترانزیستور یا ریزپردازده هایی با چند صد میلیون ترانزیستور انجامیده است.همانطور که گوردون مور (Gordon Moore) ، از اینتل در سال 1965 پیش بینی کرد، تعداد ترانزیستورها در تراشه در هر یک سال ونیم تا دو سال، تقریبا دو برابر گشته و می نیمم ابعاد ترانزیستورها از حدود 25um در سال 1965 به حدود 0.09 um در سال 2003 رسیده است و به زودی به 0.05 um نیز خواهد رسید.این همه، پیشرفت و بهبود چشمگیری را در اندازه و سرعت مدارهای مجتمع رقم زده است.

arsalan681
16-02-2010, 01:15
مدارهای واسط برای اتصال خانواده های منطقی به یکدیگر
سیستمهای دیجیتال معمولا از تراشه هایی تشکیل شده اند که همگی از یک نوع خانواده منطقی می باشند. اما در بعضی موارد تراشه های ساخته شده از خانواده های منطقی مختلف در کنارهم یک سیستم را بوجود می آورند و این کار به خاطر این است که از قابلیتهای خوب هر کدام از خانواده ها استفاده کنیم. به عنوان مثال در قسمت حافظه سیستم دیجیتال، cmos می تواند استفاده شود چون این خانواده بیشترین چگالی و کمترین مصرف توان را در بین خانواده های منطقی دارد .اما اگر در قسمتی دیگر نسبت به قسمتهای دیگر سرعت بالا مورد نیاز باشد در آن قسمت ecl می تواند استفاده شود.برای اتصال خانواده های منطقی مختلف به یکدیگر لازم است که حتما سطوح ولتاژ و جریان دو مدار باهم سازگار شوند. چون خانواده های منطقی مختلف در حالت کلی سطوح منطقی متفاوتی دارند. پس یک مدار واسط یا مدار مبدل باید بین دو تراشه قرار گیرد . امروزه تعداد زیادی مدار واسط به شکل تراشه وجود دارند.اساسا یک مدار واسط یک انتقال سطح ولتاژ یا جریان بین دو تراشه انجام میدهد. همانطور که می توان حدس زد مدارهای واسط منحصر بفرد نیستند.
مدارهای مبدلهای مختلف را در پستهای قبلی (مدارهای پیشرفته الکترونیک دیجیتال) می توانید مشاهده کنید

arsalan681
16-02-2010, 12:51
دیودهای محدود کننده
زمانی که ورودی یک گیت از ولتاژ بالا به پایین تغییر می کند، ولتاژورودی اغلب در اطراف صفر ولت نوسان می کند.این وضعیت ممکن است باعث خرابی گیت شود.اتصال دیود به هر یک از ورودی های گیت همانطور که در شکل زیر می بینید این مشکل را مقداری تعدیل می کند وباعث می شود که ورودیهای گیت از 0.7 - ولت کمتر نرود.توجه کنید در حالتی که ورودی ها سطح شان بالاست دیودها هدایت نمی کنند. این دیودها در زیر خانواده هایی از ttl مورد استفاده قرار می گیرند
You can see links before reply

arsalan681
19-02-2010, 18:53
در mosfet ها بسته به اینکه کانال n باشد یا p ، جریان تنها با یک نوع حامل (الکترون یا حفره) ایجاد می شود وبه این سبب نام دیگر آنها ترانزیستور تک قطبی است(برخلاف ترانزیستورهای دوقطبی). ترانزیستورهای mosfet را می توان در مقایسه با bjt ها یا همان دوقطبی ها بسیار کوچک ساخت و فرآیند ساخت آنها نیز ساده تر است. بعلاوه توابع منطقی و حافظه های دیجیتال را می توان منحصرا با مدارهایی تحقق بخشید که صرفا از mosfet استفاده می کنند. یعنی به مقاومت و دیود نیازی نیست.به این دلیل بیشتر مدارهای مجتمع با مقیاس بزرگ از جمله تراشه های ریزپردازنده و حافظه در حال حاضر با استفاده از تکنولوژی mos ساخته می شوند.عناصر خانواده mos انواع مختلفی دارند:
1. Mosfet افزایشی
2. Mosfet کانال- p
mosfet 3 تکمیلی یا cmos
mosfet .4 تخلیه ای

arsalan681
21-02-2010, 01:53
You can see links before reply

arsalan681
21-02-2010, 12:37
You can see links before reply

arsalan681
21-02-2010, 23:16
پارامترهای سرعت ومصرف توان برای خانواده های مختلف منطقی
این جدول رو مطالعه کنید تا توضیحاتش رو در پست بعدی ارائه کنم
You can see links before reply

arsalan681
24-02-2010, 12:49
مقایسه خانواده های منطقی مختلف
جدول زیر پارامترهای سرعت ومصرف توان برای انواع مختلف STTL، ECL، و CMOS را نشان می دهد.این پارامترها معمولا برای مقایسه خانواده های منطقی مورد استفاده قرار می گیرند. مقادیری که در این جدول لیست شده اند، مقادیر نوعی می باشند و سازندگان مختلف معمولا تراشه هایی با مقادیر مشابه این جدول تولید می کنند.سه نوع خانواده منطقی TTL شاتکی (STTL) در این جدول آورده شده است که عبارتند از LSTTL یا TTLشاتکی با مصرف توان پایین، ALSTTL یا TTLشاتکی کم توان پیشرفته و FAST یا TTL شاتکی پیشرفته Fairchild که سرعت بهتری نسبت به زیر خانواده های LSTTL و ALSTTL دارد. زیر خانواده LSTTL مقدار جریان و مصرف توان را به میزان 5 برابر کمتر از TTL استاندارد می رساند. بعلاوه LSTTL به خاطر اینکه از ترانزیستورهای شاتکی که وارد ناحیه اشباع نمی شوند، بهره می برند، دارای سرعت بیشتری است.به خاطر این بهبودها LSTTL تقریبا TTL استاندارد را از دور خارج کرده است ، همانطور که در جدول زیر مشاهده می کنید زیر خانواده ALSTTL، مصرف توان کمتر و سرعت بیشتری را فراهم می آورد.بعلاوه زیرخانواده FAST سرعت بهتری نسبت به LSTTL و ALSTTL دارد ولی مصرف توان آن مقداری افزایش یافته است. افزایش سرعت در FAST به خاطر استفاده از پروسه های پیشرفته در کارخانه ساخت آی سی تحقق پیدا کرده است.
ادامه دارد...

arsalan681
24-02-2010, 23:16
زیرخانواده های ecl که در جدول لیست شده اند متعلق به شرکن موتورولا می باشند و تحت عنوان mecl لیست شده اند. سه نوع ecl نشان داده شده در جدول عبارتند از : Mecl 10k، mecl 10 kh و mecl iii.
Ecl 10k برای مدتها به عنوان استاندارد صنعتی برای کاربردهای با سرعت بالا مورد استفاده قرار گرفته است.توجه کنید زیر خانواه های mecl بالاترین سرعت را در میان خانواده های دیگر دارند اما مصرف توان آنها نیز بالاترین مقدار رادارد.
Mecl 10 kh و mecl iii انواع پیشرفته mecl 10k می باشند. Mecl 10kh تقریبا 100 د رصد بهبود سرعت نسبت به mecl 10k استاندارد دارد. Mecl iii هم به طور مشابه، تاخیر انتشار کمی دارد اما ماکزیمم فرکانس کلاک، بهبودی به اندازه 2تا 4 برابر را نشان می دهد. دو ستون آخری در جدول مقادیر نوع پارامترها را برای دو زیر خانواده cmos نشان می دهد : Cmos استاندارد و cmos سرعت بالا hmos . توجه کنید که سرعت hmos قابل مقایسه با lsttl می باشد. به علاوه توجه کنید که cmos کمترین مصرف توان را به ازای هر گیت منطقی دارد. با توجه به این واقعیت و در نظر گرفتن این امر که cmos کمترین مساحت را در سطح تراشه در مقایسه با سایر خانواده های منطقی اشغال می کند. استفاده از cmos در مدارهای قابل حمل الکترونیکی (مثل ماشین حسابهای دستی ،ساعت، تلفن همراه و ...) که امروزه به وفور مشاهده مشود نباید باعث تعجب شود

arsalan681
12-03-2010, 22:34
ظرفیت ورودی و ظرفیت خروجی(fan in,fan out)
ظرفیت ورودی یک گیت تعداد ورودی های آن می باشد.مثلا برای یک گیت NOR با پنج ورودی ظرفیت ورودی برابر با 5می باشد.ظرفیت خروجی ماکزیمم تعداد گیت های مشابهی است که یک گیت می تواند با حفظ مشخصه های خود، آنها را تحریک کند.با توجه به اینکه جریان خروجی مدار در دو حالت بالا و پایین متفاوت است و همچنین جریان ورودی لازم توسط مدارها نیز در این دو حالت اختلاف دارند بنابراین بایستی ظرفیت خروجی هر گیت در دو حالت بالا و پایین بطور مجزا محاسبه شده و می نیمم آن به عنوان ظرفیت در نظر گرفته شود.
N_High=I_out(High)/ I_in(High)
N_low=I_out(low)/ I_in (low)
N=Fan out=min(N_High , N_low)
در روابط فوق( I_out(High، مقدار جریان خروجی گیت تحریک کننده در حالت بالا،( I_out(low ، مقدار جریان خروجی گیت تحریک کننده در حالت پایین،( I_in(High مقدار جریان ورودی تحریک شونده در حالت بالا و( I_in (low ، مقدار جریان ورودی گیت تحریک شونده در حالت پایین است.

arsalan681
09-04-2010, 17:43
منطق مثبت و منطق منفی
همانطور که قبلا اشاره شد در الکترونیک دیجیتال دو گستره ولتاژ متمایز برای نمایش دو مقدار متغیرهای دودویی استفاده می شود. اگر سطح ولتاژ بالا را برای منطق 1 و سطح ولتاژ پایین را برای منطق 0 استفاده کنیم اصطلاحا گفته می شود که در منطق مثبت کار میکنیم.بالعکس اگر سطح ولتاژ بالا را برای منطق 0 و سطح ولتاژ پایین را برای منطق 1 استفاده کنیم می گویند که در منطق منفی کار می کنیم. در تمام مباحثی که قبلا ارائه شده از منطق مثبت استفاده شده است.