NOTICE توجه: این یک موضوع قدیمی است که آخرین پست ارسالی آن مربوط به 5104 روز قبل است . لطفا فقط پاسخ ها ، سوالات و درخواست های 100 درصد مرتبط را به آن ارسال کنید و برای درخواست ها و سوالات جدید موضوع جدیدی را ایجاد کنید
صفحه 1 از 2 12 آخرینآخرین
نمایش نتایج: از 1 به 20 از 23

موضوع: یادگیری الکترونیک دیجیتال

  1. #1
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    Icon16 یادگیری الکترونیک دیجیتال

    سلام دوستان من مدارهای زیادی رو تو سایت قرار دادم ولی با توضیحات مختصر .دوستان هر کس اطلاعاتی راجع به الکترونیک دیجیتال میخواد و یا توضیح بیشتر مدارها می تونه اینجا مطرح کنه.
    موفق باشید
    ویرایش توسط arsalan681 : 15-01-2010 در ساعت 15:32

  2. کاربران : 4 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  3. # ADS
    Circuit advertisement
    تاریخ عضویت
    Always
    نوشته ها
    Many
     

  4. #2
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض مدارهای cmos تفاضلی

    این مطلب رو مطالعه کنید پروژهای مربوطش رو تو قسمت مدارهای پیشرفته می تونید ببینید
    فايل هاي پيوست شده فايل هاي پيوست شده

  5. کاربران : 4 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  6. #3
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض معرفی الکترونیک دیجیتال

    گفتم این فایل اینجا باشه بهتره
    http://www.4shared.com/file/18615977...roduction.html

  7. کاربران : 4 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  8. #4
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض خانواده های مدارهای دیجیتال

    خانواده های مدارهای دیجیتال
    مدارهای منطقی مجتمع به چند خانواده مختلف تقسیم می شوند. اعضای هر یک از خانواده ها، با یک تکنولوژی مشخص ساخته می شوند، ساختار مداری مشابه دارند و مشخصه های بنیادی یکسان از خود نشان میدهند. ابتدا خانواده MOS که شامل NMOS و CMOS می باشد بعد خانواده های منطقی BJT که شامل TTL و ECL می باشد. بعد BiCMOS که شامل ترکیبی از CMOS و BJT (دوقطبی) است ومزیت آن این است که قابلیت های خوب هر دو خانواده سازنده اش را دارد.این خانواده ها مهمترین ها می باشند.بعد از آن تکنولوژی گالیوم آرسناید (GaAs) که یک تکنولوژی نسبتا جدید و پیشرفته می باشد و مزیت هایی چون سرعت بالاتر را دارا می باشد.خانواده های CMOS,TTL و ECL هم به صورت عناصر غیرسفارشی رایج مثلIC هایی که فقط شامل گیت های NOR می باشند در بازار برای طراحی موجود می باشند و هم به صورت VLSI در طراحی مدارهای سفارشی مثل پردازنده ها کاربرد دارند. اما NMOS تنها در مدارهای VLSI نظیر ریزپردازنده ها و تراشه های حافظه به کار میرود.

  9. کاربران : 5 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  10. #5
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض مقیاس مجتمع سازی

    مقیاس مجتمع سازی
    معمولا در هر خانواده منطقی، به انواع مدارهای منطقی می توان دست یافت.بسته به پیچیدگی مدار روی تراشه، تراشه ممکن است از یکی از چهار نوع زیر باشد:
    مدار مجتمع با مقیاس کوچک (small scale integration (SSI))
    مدار مجتمع با مقیاس متوسط (( MSI) medium scale integration )
    مدار مجتمع با مقیاس بزرگ ( large scale integration(LSI) )
    مدار مجتمع با مقیاس خیلی بزرگ ( very large scale integration(VLSI) )
    هرچند مرز بین انواع مختلف، خیلی روشن نیست اما مبنای نه چندان دقیقی بر اساس تعداد گیتهای منطقی مشابه روی تراشه به قرار زیر است: SSI : از 1 تا 10 گیت ، MSI : از 10 تا 100 گیت ، LSI: از 100 تا 1000 گیت، VLSI: بیش از 1000 گیت.

  11. کاربران : 4 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  12. #6
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض تکنولوژی BiCMOS

    تکنولوژی BiCMOS
    BiCMOS خانواده ای منطقی می باشد که قطعات دوقطبی و CMOS را با هم ترکیب کرده است.این تکنولوژی نسبتا جدید است(بصورت تجاری در سال 1985 بکارگرفته شده است) و سرعت بالاتر و چگالی فشرده سازی بیشتری دارد. توجه کنید که CMOS توان مصرفی کمتر ، حاشیه نویز بزرگتر و چگالی فشرده سازی بیشتری را نسبت به دو قطبی ها دارد، در عوض دوقطبی ها سرعت سوئیچینگ بالاتر و جریان دهی بیشتری دارند. بنابراین با ترکیب این تکنولوژیها، BiCMOS مزیت های زیر را فراهم آورده است:
    مصرف توان کمتر نسبت به دوقطبی ها
    بهبود سرعت نسبت به CMOS
    جریان دهی بیشتر نسبت به CMOS
    درست است کهBiCMOS مزیتهای بالا را دارد ولی دارای معایب زیر می باشد:
    هزینه بالا
    زمان ساخت طولانی در کارخانه (Fabrication)

  13. کاربران : 3 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  14. #7
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض چرا BiCMOS

    چرا BiCMOS
    در تکنولوژی BiCMOS پروسه هایی وجوددارند که در آنها ترانزیستورهای دوقطبی و CMOS در کنار هم و بر روی یک تراشه ساخته می شوند. در این تکنولوژی مدارهای منطقی ECL و TTL در کنار مدارهایCMOS ساخته می شوند. این در کنار هم ساختن و ترکیب کردن دوقطبی و CMOS به خاطر این است که از مزیتهای خوب هر دو تکنولوژی استفاده کنیم.خانواده CMOS در مقایسه با دوقطبی ها مجتمع سازی بالایی دارند اما سرعت کارکرد و قدرت تحریک آن پایین تر است. در واقع در سیستمهای ارتباطی و کاربردهای کامپیوتری CMOS نمی تواند پاسخگوی نیازهای سرعت بالا باشد. اما تکنولوژی دوقطبی ECL و TTL مدارهای دیجیتالی ایجاد می کنند که قدرت تحریک بیشتر و سرعت بالاتری دارند. اما همین دوقطبی ها توان زیادی مصرف می کنند که ممکن است در بعضی سیستمها قابل تحمل نباشد.تکنولوژیهای مختلفی توسط شرکتهای نیمه هادی برای BiCMOS در سالهای اخیر ایجاد شده اند.یک نما از BiCMOS در شکل نشان داده شده است.در تکنولوژیهای اولیه BiCMOS ، ترانزیستورهای دوقطبی با مدارهای CMOS ترکیب می شدند.اما در این حالت کارکرد مدار توسط مشخصات مربوط به دو قطبی و یا CMOS محدود می شد.به این دلیل محدودیتها ، تکنولوژیهای دیگری برای BiCMOS ایجاد شده اند.در یکی از پروسه ها، مدارهای دو قطبی با سرعت متوسط با مدارهای CMOS با سرعت بالا جایگزین شده اند، قابلیت انتخاب دو قطبی بر روی تراشه در این تکنولوژی سرعت را بالا می برد.در یک تکنولوژی دیگر، ترانزیستورهای دو قطبی بهینه سازی شده اند که مدارهایی با سرعت بالاتر را ایجاد کنند.این تکنولوژی برای ساخت بلوکهای حافظه بزرگ سریع استفاده می شوند و مصرف توان پایین و چگالی بالایی را دارا می باشد البته در ساخت این حافظه ها در ترکیب BiCMOS ، دو قطبی به کار گرفته می شود

  15. کاربران : 3 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  16. #8
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض ساختار BiCMOS

    ساختار BiCMOS
    قطعات فعالی که در خانواده منطقی BiCMOS به کار میروند PMOS و NMOS می باشند که به صورت ترکیب CMOS استفاده می شوند و در طول آنها دو قطبی های NPN و PNP به صورت افقی استفاده می شوند(در بعضی تکنولوژیها NPN های عمودی نیز استفاده شده اند)شکل زیر نمایی از BiCMOS را نشان می دهد، که از CMOS با چاه دوقلو (Twin Well) و دوقطبی ها تشکیل شده است. در ساختار CMOS با چاه دو قلو، دو چاه نزدیک هم قرار گرفته اند N+ و P+ ، یک ترکیب بسیار فشرده بوجود می آورند. ضعف عمده BiCMOS این است که تکنولوژی های ساخت استاندارد برای دوقطبی ها و MOSFET ها با هم ناسازگارند.به عنوان مثال ساخت تراشه های CMOS به طور عمومی با ویفرهای سیلیکونی نوع N شروع می شود در حالیکه دوقطبی ها با ویفر سیلیکونی نوع P شروع می شوند. اگر چه ناسازگاری هایی از این دست وجود دارد ولی در بعضی از پروسه های ساخت، به طور همزمان و موازی، ساخت قسمتهای CMOS و دو قطبی را انجام میدهند تا اینکه تعداد مراحل ساخت کمتر شود. معمولا مراحل پروسه از یک تکنولوژی دیگر ادغام می شود(با استفاده از مشابهت مراحل موجود برای دو تکنولوژی).

  17. کاربران : 3 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  18. #9
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض تکنولوژی گالیم – آرسناید

    تکنولوژی گالیم – آرسناید
    تکنولوژی MOS سیلیکونی در طول سالهای گذشته نقش عمده ای را در ساخت قطعات داشته است و این روند همچنان نیز ادامه دارد و از اهمیت آن کاسته نشده است.مشکل مربوط به محدودیت سرعت قطعات سیلیکونی یکی از مسایلی استه کهدر طراحی سیستم های دیجیتالی در حال حاضر به چشم می خورد. به علت بالاتر بودن قابلیت تحرک قطعات n نسبت به p ، اشباع سرعت در قطعات n در میدان الکتریکی ضعیف تری رخ می دهد.بنابراین زمانی که قطعات ابعاد کوچکتری پیدا می کنند قابلیت تحریک جریان ترانزیستور های n زودتر از ترانزیستورهای p به مقداری ثابت میرسد که این مقدار مستقل از طول کانال است.این به معنی رسیدن یه یک حداکثر سرعت در قطعات سیلیکونی است و بایستی برای رسیدن به سرعتهای بالاتر ، در جستجوی یک تکنولوژی دیگربه غیر از تکنولوژی MOS مبتنی بر سیلیکون باشیم. در این میان توجه به سوی تکنولوژی دیگری که مبتنی بر گالیم – آرسناید است جلب شده است ونتایج قابل توجهی در استفاده از این تکنولوژی حاصل شده است. این تکنولوژی جدید نمی تواند بطور کامل جایگزین تکنولوژی مبتنی بر سیلیکون شود اما می تواند نیازهای تکنولوژی مدارهای مجتمع با سرعت های بسیار بالاتر را فراهم کند.کشف ترکیب گالیم – آرسناید در سال 1926 صورت گرفت ولی ویژگی های قابل توجه آن تا سال 1960 ناشناخته ماند.با بوجود آمدن پیشرفت هایی در تکنولوژی ساخت مدارهای مجتمع که در دهه 1970 صورت گرفت، محصولات گالیم – آرسناید به عنوان یک جایگزین احتمالی مطرح شده و در نتیجه پیشرفتهای شگرف کاشت یونی در دهه 1980 ، این تکنولوژی به عنوان یک واقعیت تجاری در دهه 1990 مطرح گردید. تکنولوژی گالیم – آرسناید ،با شناخته شدن ویژگی های آن به تدریج رای طراحی مدارهای بسیار سریع مطرح گردید که علاوه بر بوجود آموردن امکان ساخت قطعات بسیار سریع دارای مزایای دیگری نیز می باشد که مهمترین آنها شامل موارد زیر است:
    1. قابلیت تحرک بسیار بالای الکترون در گالیم – آرسناید نسبت به سیلیکون
    2. زیر لایه نیمه عایق (پارازیت کمتر)
    3. بهبود سرعت اشباع حاملها در گالیم – آرسناید در مقایسه با سیلیکون
    4. خواص نوری و الکتریکی
    5. بهبود قابل توجه در کاهش توان مصرفی
    6. مقاومت بالا در برابر تشعشع
    برای عملیات با سرعت بالا در یک وسیله نیمه هادی ، سه عامل : قابلیت تحرک حاملها، سرعت اسباع حامل، و وجود زیر لایه نیمه عایق حائز اهمیت می باشد که گالیم – آرسناید در ضمن برآوردن تقریبی این نیازها و با توان مصرفی کمی که دارد، اساس تکنولوژی را برای نسلهای جدیدی از مدارهای سریع فراهم می کند.

  19. کاربران : 3 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  20. #10
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض ویژگی ها و مشخصه های تکنولوژی گالیم – آرسناید

    ویژگی ها و مشخصه های تکنولوژی گالیم – آرسناید
    در طول سالهای اخیر پیشرفتهای قابل ملاحظه ای در تکنولوژی گالیم – آرسناید بوجود آمده و مشخصه های زیر نوعا عرضه شده است:
    1. امکان ساخت قطعات افزایشی و تخلیه ای
    2. مناسب بودن تکنولوژی برای سرعتهای ساعت در محدوده 1 تا 2 گیگا هرتز
    3. قابلیت تحرک الکترون به میزان شش تا هفت برابر نسبت به سیلیکون که زمان های گذر الکترون بسیار سریعی را بوجود می آورد
    4. در تکنولوژی گالیم – آرسناید سرعت اشباع در میدان آستانه کمتری نسب به سیلیکون رخ می دهد.
    5. باند ممنوعه بزرگ انرژی باعث می ش.د که زیر لایه نیمه عیق در عمق، دارای مقاومتی در حدود .cmΩ 107 تا 108 (10به توان 8) باشد. این موضوع باعث حداقل شدن اندازه خازنهای پارازیتی شده است و جداسازی قطعات متعدد در یک زیر لایه را آسان می کند.
    6. به علت عدم حضور اکسید گیت برای به دام انداختن بارهای الکتریکی، مقاومت تشعشع قوی تری دارد.
    7. محدوده دمای عملیاتی بزرگتری دارد، قطعات گالیم – آرسناید در مقابل تغییرات وسیعی از دما در محدوده 200- تا 200+ درجه سانتیگراد مقاوم هستند.
    8. پیوند pn با بایاس مستقیم می تواند به عنوان منتشر کننده نور مورد استفاده قرار گیرد.
    9. کاهش توان مصرفی تا 70 درصد نسبت به سریعترین تکنولوژی سیلیکون در این تکنولوژی حاصل می شود.

  21. کاربران : 2 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  22. #11
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض انواع قطعات گالیم – آرسناید

    انواع قطعات گالیم – آرسناید
    قطعات مختلفی از گالیم – آرسناید توسعه یافته است که می توان آنها را در دوسته زیر قرار داد:
    نسل اول:
    1. ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی حالت تخلیه ای
    (Deplletion mode Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor(DMESEFT))
    2. ترانزیستور اثر میدان فلز – نیمه هادی حالت افزایشی
    ( Enhancement mode Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor(EMESEFT))
    3. ترانزیستور اثر میدان پیوندی حالت افزایشی
    ((Enhancement mode Junction Field-Effect Transistor(EJEFT)
    4. ترانزیستور اثر میدان پیوندی حالت افزایشی تکمیلی
    ((Complementary Enhancement mode Junction Field-Effect Transistor(CEJEFT)

    نسل دوم: شامل قطعات پیچیده تری می باشد که در آنها قابلیت تحرک الکترون می تواند تا پنج برابر سریعتر از قطعات نسل اول باشد.
    1. ترانزیستور با قابلیت تحرک الکترون بالا
    (High Electron Mobility Transistor)
    2. ترانزیستور دو قطبی با پیوند ناهمگون
    (Heterojunction Bipolar Transistor(HBT))

  23. کاربران : 3 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  24. #12
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض انوع منطق های تکنولوژی گالیم – آرسناید

    انوع منطق های تکنولوژی گالیم – آرسناید
    برای طراحی مدارهای منطقی دو روش وجود دارد:
    1. منطق در حالت عادی روشن که درآن از MESFET های حالت تخلیه ای استفاده می شود. در این منطق قطعات مورد استفاده در حالت عادی روشن می باشند و برای پیاده سازی عملکرد مدار و در زمان سوئیچ بایستی خاموش شوند.
    2. منطق در حالت عادی خاموش که در این منطق از ترانزیستورهای افزایشی استفاده می شود. این ترانزیستورها در حالت عادی خاموش بوده و در زمان سوئیچ روشن می شوند.
    براین اساس چند نوع منطق مختلف با استفاده از MESFET ها بوجود آمده است که عبارتند از:
    منطق DCFl-Direct Coupled FET Logic
    منطق BFL- Buffered FET Logic
    منطق SDFL- Shotckey Diod FET Logic
    منطق CCFL – Capacitor Coupled FET Logic
    منطق CDFL – Capacitor Diod FET Logic
    منطق LPFL – Source Couple FET Logic

  25. کاربران : 3 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  26. #13
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض چرا مدارهای مجتمع ؟

    چرا مدارهای مجتمع ؟
    ایده گنجاندن چندین وسیله الکترونیکی در یک زیر لایه مشترک در اواخر دهه 1950 مطرح شد.در بیش از 4 دهه فناوری، از تولید تراشه هایی ساده شمال چند ترانزیستور به ساخت حافظه هایی با بیش از یک میلیارد ترانزیستور یا ریزپردازده هایی با چند صد میلیون ترانزیستور انجامیده است.همانطور که گوردون مور (Gordon Moore) ، از اینتل در سال 1965 پیش بینی کرد، تعداد ترانزیستورها در تراشه در هر یک سال ونیم تا دو سال، تقریبا دو برابر گشته و می نیمم ابعاد ترانزیستورها از حدود 25um در سال 1965 به حدود 0.09 um در سال 2003 رسیده است و به زودی به 0.05 um نیز خواهد رسید.این همه، پیشرفت و بهبود چشمگیری را در اندازه و سرعت مدارهای مجتمع رقم زده است.

  27. کاربران : 3 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  28. #14
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض مدارهای واسط اتصال خانواده های منطقی

    مدارهای واسط برای اتصال خانواده های منطقی به یکدیگر
    سیستمهای دیجیتال معمولا از تراشه هایی تشکیل شده اند که همگی از یک نوع خانواده منطقی می باشند. اما در بعضی موارد تراشه های ساخته شده از خانواده های منطقی مختلف در کنارهم یک سیستم را بوجود می آورند و این کار به خاطر این است که از قابلیتهای خوب هر کدام از خانواده ها استفاده کنیم. به عنوان مثال در قسمت حافظه سیستم دیجیتال، cmos می تواند استفاده شود چون این خانواده بیشترین چگالی و کمترین مصرف توان را در بین خانواده های منطقی دارد .اما اگر در قسمتی دیگر نسبت به قسمتهای دیگر سرعت بالا مورد نیاز باشد در آن قسمت ecl می تواند استفاده شود.برای اتصال خانواده های منطقی مختلف به یکدیگر لازم است که حتما سطوح ولتاژ و جریان دو مدار باهم سازگار شوند. چون خانواده های منطقی مختلف در حالت کلی سطوح منطقی متفاوتی دارند. پس یک مدار واسط یا مدار مبدل باید بین دو تراشه قرار گیرد . امروزه تعداد زیادی مدار واسط به شکل تراشه وجود دارند.اساسا یک مدار واسط یک انتقال سطح ولتاژ یا جریان بین دو تراشه انجام میدهد. همانطور که می توان حدس زد مدارهای واسط منحصر بفرد نیستند.
    مدارهای مبدلهای مختلف را در پستهای قبلی (مدارهای پیشرفته الکترونیک دیجیتال) می توانید مشاهده کنید

  29. کاربران : 2 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  30. #15
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض دیودهای محدود کننده

    دیودهای محدود کننده
    زمانی که ورودی یک گیت از ولتاژ بالا به پایین تغییر می کند، ولتاژورودی اغلب در اطراف صفر ولت نوسان می کند.این وضعیت ممکن است باعث خرابی گیت شود.اتصال دیود به هر یک از ورودی های گیت همانطور که در شکل زیر می بینید این مشکل را مقداری تعدیل می کند وباعث می شود که ورودیهای گیت از 0.7 - ولت کمتر نرود.توجه کنید در حالتی که ورودی ها سطح شان بالاست دیودها هدایت نمی کنند. این دیودها در زیر خانواده هایی از ttl مورد استفاده قرار می گیرند

  31. کاربران : 2 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  32. #16
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض آشنایی با mosfet

    در mosfet ها بسته به اینکه کانال n باشد یا p ، جریان تنها با یک نوع حامل (الکترون یا حفره) ایجاد می شود وبه این سبب نام دیگر آنها ترانزیستور تک قطبی است(برخلاف ترانزیستورهای دوقطبی). ترانزیستورهای mosfet را می توان در مقایسه با bjt ها یا همان دوقطبی ها بسیار کوچک ساخت و فرآیند ساخت آنها نیز ساده تر است. بعلاوه توابع منطقی و حافظه های دیجیتال را می توان منحصرا با مدارهایی تحقق بخشید که صرفا از mosfet استفاده می کنند. یعنی به مقاومت و دیود نیازی نیست.به این دلیل بیشتر مدارهای مجتمع با مقیاس بزرگ از جمله تراشه های ریزپردازنده و حافظه در حال حاضر با استفاده از تکنولوژی mos ساخته می شوند.عناصر خانواده mos انواع مختلفی دارند:
    1. Mosfet افزایشی
    2. Mosfet کانال- p
    mosfet 3 تکمیلی یا cmos
    mosfet .4 تخلیه ای

  33. کاربران : 2 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  34. #17
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض مقایسه بین سیلیکون و گالیم آرسناید


  35. کاربران : 2 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  36. #18
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض مقایسه بین تکنولوژی های CMOS ، دوقطبی و GaAs


  37. کاربران : 2 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  38. #19
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض پارامترهای سرعت ومصرف توان برای خانواده های مختلف منطقی

    پارامترهای سرعت ومصرف توان برای خانواده های مختلف منطقی
    این جدول رو مطالعه کنید تا توضیحاتش رو در پست بعدی ارائه کنم

  39. کاربران : 2 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


  40. #20
    مدیر باز نشسته arsalan681 آواتار ها
    تاریخ عضویت
    Dec 2009
    نوشته ها
    974
    تشکر
    165
    تشکر شده 1,256 بار در 613 پست

    پیش فرض مقایسه خانواده های منطقی مختلف

    مقایسه خانواده های منطقی مختلف
    جدول زیر پارامترهای سرعت ومصرف توان برای انواع مختلف STTL، ECL، و CMOS را نشان می دهد.این پارامترها معمولا برای مقایسه خانواده های منطقی مورد استفاده قرار می گیرند. مقادیری که در این جدول لیست شده اند، مقادیر نوعی می باشند و سازندگان مختلف معمولا تراشه هایی با مقادیر مشابه این جدول تولید می کنند.سه نوع خانواده منطقی TTL شاتکی (STTL) در این جدول آورده شده است که عبارتند از LSTTL یا TTLشاتکی با مصرف توان پایین، ALSTTL یا TTLشاتکی کم توان پیشرفته و FAST یا TTL شاتکی پیشرفته Fairchild که سرعت بهتری نسبت به زیر خانواده های LSTTL و ALSTTL دارد. زیر خانواده LSTTL مقدار جریان و مصرف توان را به میزان 5 برابر کمتر از TTL استاندارد می رساند. بعلاوه LSTTL به خاطر اینکه از ترانزیستورهای شاتکی که وارد ناحیه اشباع نمی شوند، بهره می برند، دارای سرعت بیشتری است.به خاطر این بهبودها LSTTL تقریبا TTL استاندارد را از دور خارج کرده است ، همانطور که در جدول زیر مشاهده می کنید زیر خانواده ALSTTL، مصرف توان کمتر و سرعت بیشتری را فراهم می آورد.بعلاوه زیرخانواده FAST سرعت بهتری نسبت به LSTTL و ALSTTL دارد ولی مصرف توان آن مقداری افزایش یافته است. افزایش سرعت در FAST به خاطر استفاده از پروسه های پیشرفته در کارخانه ساخت آی سی تحقق پیدا کرده است.
    ادامه دارد...
    ویرایش توسط arsalan681 : 24-02-2010 در ساعت 12:52

  41. کاربران : 2 تشکر کرده اند از شما arsalan681 برای ارسال این پست سودمند:


صفحه 1 از 2 12 آخرینآخرین

موضوعات مشابه

  1. مشکل در آنالوگ به دیجیتال (adc)
    توسط mzarkoob در انجمن LPC series (NXP)
    پاسخ: 16
    آخرين نوشته: 22-01-2014, 00:52
  2. کمک در مورد تبدیل آنالوگ به دیجیتال
    توسط vackiom در انجمن الکترونیک
    پاسخ: 5
    آخرين نوشته: 23-05-2013, 20:19
  3. انتقال دیتا ازمیکرو بهpcبا اترنت
    توسط ali asghar در انجمن مخابرات
    پاسخ: 3
    آخرين نوشته: 22-04-2013, 12:22
  4. پاسخ: 14
    آخرين نوشته: 20-02-2011, 01:44
  5. قفل رمز دیجیتالی
    توسط sam166 در انجمن AVR
    پاسخ: 14
    آخرين نوشته: 21-08-2010, 11:26

مجوز های ارسال و ویرایش

  • شما نمیتوانید موضوع جدیدی ارسال کنید
  • شما امکان ارسال پاسخ را ندارید
  • شما نمیتوانید فایل پیوست کنید.
  • شما نمیتوانید پست های خود را ویرایش کنید
  •